MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 13 A 600 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
13 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 11,58
€ 2,316 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,316 | € 11,58 |
| 10 - 95 | € 1,958 | € 9,79 |
| 100 - 495 | € 1,572 | € 7,86 |
| 500 - 995 | € 1,396 | € 6,98 |
| 1000+ | € 1,312 | € 6,56 |
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N
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13 A
Tension Drain Source maximum
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Série
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Type de conditionnement
A-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
550 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
35 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Charge de Grille type @ Vgs
66 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Hauteur
16.4mm
Température de fonctionnement minimum
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