MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 90 A 80 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
90 A
Tension Drain Source maximum
80 V
Séries
STripFET H7
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
96 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 15,33
€ 3,066 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 3,066 | € 15,33 |
| 10+ | € 2,914 | € 14,57 |
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N
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Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
4.3 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
200000 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
96 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
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