MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 12 A 950 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
12 A
Tension Drain Source maximum
950 V
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 134,16
€ 2,683 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 134,16
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,683 | € 134,16 |
| 100 - 200 | € 2,147 | € 107,33 |
| 250+ | € 1,97 | € 98,48 |
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N
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12 A
Tension Drain Source maximum
950 V
Série
MDmesh K5, SuperMESH5
Type de conditionnement
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
500 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
170 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
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Pays d'origine
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