MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 12 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
299mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 83,07
€ 1,661 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 83,07
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,661 | € 83,07 |
| 100 - 200 | € 1,617 | € 80,84 |
| 250 - 450 | € 1,573 | € 78,66 |
| 500 - 950 | € 1,533 | € 76,65 |
| 1000+ | € 1,495 | € 74,76 |
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MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
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Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh M5
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
299mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.5V
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
9.15mm
Longueur
10.4mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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