MOSFET N STMicroelectronics 12 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M5
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
299mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 84,90
€ 1,698 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 84,90
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,698 | € 84,90 |
| 100 - 200 | € 1,652 | € 82,59 |
| 250 - 450 | € 1,608 | € 80,40 |
| 500 - 950 | € 1,567 | € 78,37 |
| 1000+ | € 1,541 | € 77,04 |
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MOSFET
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Type N
Courant continu de Drain maximum Id
12A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh M5
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
299mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
90W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
31nC
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
60°C
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
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No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M5, STMicroelectronics
Les transistors de puissance MOSFET MDmesh M5 sont optimisés pour les topologies PFC et PWM haute puissance. Les principales caractéristiques incluent une zone de faible perte à l'état passant par silicone combinée à une faible charge de grille. Ils sont conçus pour les applications de commutation difficile éco-énergétiques, compactes et fiables, telles que les convertisseurs d'énergie solaire, les alimentations pour les produits de consommation et les commandes d'éclairage électronique.
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