MOSFET N STMicroelectronics 16 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
16A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
16A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
100mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
45W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.3V
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.