MOSFET canal Type N STMicroelectronics 13 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh M2 Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
13A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics
Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,21
€ 2,043 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 10,21
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,043 | € 10,21 |
| 25 - 45 | € 1,941 | € 9,71 |
| 50 - 120 | € 1,743 | € 8,71 |
| 125 - 245 | € 1,574 | € 7,87 |
| 250+ | € 1,491 | € 7,46 |
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Type N
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13A
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TO-220
Séries
MDmesh M2
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
280mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
110W
Tension maximale de source de la grille Vgs
25 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
21.5nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
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Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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