Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17.5 A
Tension Drain Source maximum
950 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.6mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 16,97
€ 3,394 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
17.5 A
Tension Drain Source maximum
950 V
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
330 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
250 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
40 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Matériau du transistor
Si
Largeur
4.6mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Tension directe de la diode
1.5V
Pays d'origine
China
Détails du produit