Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
A-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
290 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Largeur
4.6mm
Hauteur
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 59,83
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 59,83
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
10
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Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
20,2 A
Tension Drain Source maximum
600 V
Type de boîtier
A-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
290 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
45 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
39 nF @ 10 V
Largeur
4.6mm
Hauteur
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
Détails du produit


