TRANSISTOR MOSFET CANAL N - STP22NE10L
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
90 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC při 10 V
Höhe
15.75mm
Šířka
4.6mm
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
5
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
22 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
100 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Maximální ztrátový výkon
90 W
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
24 nC při 10 V
Höhe
15.75mm
Šířka
4.6mm