MOSFET canal Type N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Séries
DeepGate, STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 34,55
€ 3,455 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 34,55
€ 3,455 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
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Paquet de production (Tube)
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 3,455 | € 6,91 |
| 20 - 48 | € 3,37 | € 6,74 |
| 50 - 98 | € 3,279 | € 6,56 |
| 100+ | € 3,193 | € 6,39 |
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Type N
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Tension Drain Source maximum Vds
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Type de Boitier
TO-220
Séries
DeepGate, STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
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STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
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