MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 110 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
110 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
DeepGate, STripFET
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.75mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 123,25
€ 2,465 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,465 | € 123,25 |
| 100 - 200 | € 2,401 | € 120,07 |
| 250+ | € 2,342 | € 117,12 |
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N
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Tension Drain Source maximum
-100 V
Série
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Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,2 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
160 nC @ 10 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.75mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
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