MOSFET N STMicroelectronics 110 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Séries
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 124,82
€ 2,496 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 124,82
€ 2,496 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,496 | € 124,82 |
| 100 - 200 | € 2,432 | € 121,59 |
| 250+ | € 2,372 | € 118,60 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
110A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Séries
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3.2mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
160nC
Tension directe Vf
1.2V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.