MOSFET canal Type N STMicroelectronics 17 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 70,40
€ 1,408 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 70,40
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,408 | € 70,40 |
| 100 - 200 | € 1,099 | € 54,94 |
| 250+ | € 0,988 | € 49,40 |
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17A
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650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimale
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
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Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Longueur
10.4mm
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