MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 17 A Enrichissement 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
17A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
190mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 600 V / 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 69,89
€ 1,398 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,398 | € 69,89 |
| 100 - 200 | € 1,091 | € 54,54 |
| 250+ | € 0,981 | € 49,04 |
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Type de Boitier
TO-220
Séries
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.6V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46nC
Dissipation de puissance maximum Pd
125W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement maximum
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No
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6 mm
Hauteur
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