MOSFET canal N STMicroelectronics 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET

Brand

Type du produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-220

Série

DeepGate, STripFET

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

183nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20, +20V

Tension directe Vf

1.1V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Normes/homologations

EN131 Professional

Largeur

4.6mm

Standard automobile

No