MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 120 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
120 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
TO-220
Série
DeepGate, STripFET
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
3,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
183 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,13
€ 8,13 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 8,13
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
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| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 8,13 |
| 2+ | € 7,72 |
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3
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Mode de canal
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Tension de seuil maximale de la grille
4V
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2V
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Single
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±20 V
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1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
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