MOSFET N STMicroelectronics 120 A 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
120A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Séries
DeepGate, STripFET
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
3mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
183nC
Tension directe Vf
1.1V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
4.6 mm
Taille
15.75mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 138,63
€ 2,773 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
183nC
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Largeur
4.6 mm
Taille
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Longueur
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No
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