MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 120 A Enrichissement 60 V, 3 broches STP260N6F6

N° de stock RS: 760-9673Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP260N6F6
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

3mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

183nC

Température de fonctionnement maximum

175°C

Largeur

4.6 mm

Normes/homologations

No

Hauteur

15.75mm

Longueur

10.4mm

Standard automobile

No

Détails du produit

STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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QuantitéPrix unitaire
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3mΩ

Mode de canal

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Tension maximale de source de la grille Vgs

20 V

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1.1V

Température minimum de fonctionnement

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Charge de porte typique Qg @ Vgs

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Température de fonctionnement maximum

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