Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 78,38
€ 1,568 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 78,38
€ 1,568 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,568 | € 78,38 |
| 100 - 200 | € 1,527 | € 76,33 |
| 250+ | € 1,489 | € 74,44 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
30 A
Tension Drain Source maximum
200 V
Type de boîtier
A-220
Série
STripFET
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
75 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
125 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
38 nC V @ 10
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4.6mm
Hauteur
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit


