MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 180 A 100 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
190 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de boîtier
TO-220
Séries
STripFET H7
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
2,7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
315 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ série H7, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 8,11
€ 4,053 Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,053 | € 8,11 |
| 10 - 98 | € 3,459 | € 6,92 |
| 100 - 498 | € 3,049 | € 6,10 |
| 500+ | € 2,971 | € 5,94 |
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Nombre de broche
3
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Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
2.5V
Dissipation de puissance maximum
315 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
180 nF @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
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1
Longueur
10.4mm
Taille
15.75mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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