Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
STripFET
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 21,40
€ 2,14 Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
10
€ 21,40
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Paquet de production (Tube)
10
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STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
50 A
Tension Drain Source maximum
-100 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
STripFET
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
28 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
150 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
46,5 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit