Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
38A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
32nC
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Paquet de production (Tube)
5
Prix sur demande
Each (Supplied in a Tube) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Paquet de production (Tube)
5
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
38A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET II
Typ montáže
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
28mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
80W
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
32nC
Tension directe Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
85°C
Höhe
9.15mm
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Automobilový standard
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


