Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Hauteur
15.75mm
Détails du produit
Canal N MDmesh™, 800 V / 1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 4,96
€ 4,96 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 4,96
€ 4,96 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 4 | € 4,96 |
| 5 - 9 | € 4,70 |
| 10 - 24 | € 4,24 |
| 25 - 49 | € 3,83 |
| 50+ | € 3,62 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
4 A
Tension Drain Source maximum
1500 V
Type de conditionnement
TO-220
Série
MDmesh
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
160 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Charge de Grille type @ Vgs
30 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Hauteur
15.75mm
Détails du produit


