MOSFET N STMicroelectronics 4 A 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
10.4mm
Taille
9.3mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,38
€ 2,276 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
€ 11,38
€ 2,276 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,276 | € 11,38 |
| 10 - 20 | € 2,07 | € 10,35 |
| 25 - 95 | € 1,957 | € 9,78 |
| 100 - 495 | € 1,522 | € 7,61 |
| 500+ | € 1,287 | € 6,43 |
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
18.8nC
Dissipation de puissance maximum Pd
25W
Température d'utilisation minimale
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
60°C
Longueur
10.4mm
Taille
9.3mm
Normes/homologations
IEC 60664-1
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.