MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 3,5 A 650 V, 3 broches

N° de stock RS: 168-8630Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP5N60M2
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

3.5 A

Tension Drain Source maximum

650 V

Série

MDmesh M2

Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.4 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,5 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.75mm

Pays d'origine

China

Détails du produit

Canal N MDmesh™ série M2, STMicroelectronics

Une gamme de transistors MOSFET haute tension de STMicroelecronics. Avec leur faible charge de grille et leurs excellentes capacités de sortie, les séries M2 MDmesh conviennent parfaitement à une utilisation dans les alimentations de type résonance à commutation (convertisseurs LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 53,15

€ 1,063 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Tube
50 - 50€ 1,063€ 53,15
100 - 200€ 0,797€ 39,86
250+€ 0,718€ 35,88

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Courant continu de Drain maximum

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650 V

Série

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Type de conditionnement

TO-220

Type de fixation

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.4 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4V

Tension de seuil minimale de la grille

2V

Dissipation de puissance maximum

45 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

-25 V, +25 V

Nombre d'éléments par circuit

1

Largeur

4.6mm

Longueur

10.4mm

Charge de Grille type @ Vgs

8,5 nC @ 10 V

Matériau du transistor

Si

Température d'utilisation maximum

150 °C

Taille

15.75mm

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