MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101

N° de stock RS: 248-9686Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP60N043DM9
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Documents techniques

Spécifications

Type du produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

55A

Tension Drain Source maximum Vds

650V

Type de Boitier

TO-220

Séries

STP

Type de support

Through Hole

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

45mΩ

Mode de canal

Enhancement

Dissipation de puissance maximum Pd

245W

Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température d'utilisation minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1.5V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

10.4 mm

Taille

4.6mm

Longueur

28.9mm

Normes/homologations

UL

Standard automobile

AEC-Q101

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€ 383,94

€ 7,679 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)

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45mΩ

Mode de canal

Enhancement

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Tension maximale de source de la grille Vgs

30 V

Température d'utilisation minimum

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

80nC

Tension directe Vf

1.5V

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