MOSFET canal Type N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
245W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
175°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
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€ 383,94
€ 7,679 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
Enrichissement
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Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
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Température d'utilisation maximum
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Largeur
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