MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 80 A Enrichissement 100 V, 3 broches STP60NF10
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
80A
Tension Drain Source maximum Vds
100V
Type de Boitier
TO-220
Série
STripFET II
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
23mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
Dissipation de puissance maximum Pd
300W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
104nC
Température d'utilisation maximum
175°C
Longueur
10.4mm
Normes/homologations
No
Largeur
4.6 mm
Hauteur
15.75mm
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 11,63
€ 2,326 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,326 | € 11,63 |
| 10+ | € 2,209 | € 11,05 |
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Série
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.3V
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Charge de porte typique Qg @ Vgs
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Température d'utilisation maximum
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Longueur
10.4mm
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No
Largeur
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Hauteur
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