MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 5.8 A Enrichissement 900 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5.8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
2Ω
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
1.2V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
46.5nC
Dissipation de puissance maximum Pd
30W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Température maximale d'utilisation
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
9.3mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 92,64
€ 1,853 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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