Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
33 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température de fonctionnement maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.75mm
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
5
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Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
33 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
A-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
11 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
110000 mW
Configuration du transistor
Single
Charge de Grille type @ Vgs
50 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Température de fonctionnement maximum
+175 °C
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Taille
15.75mm
Détails du produit


