MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Série
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
28.9mm
Taille
4.6mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 155,31
€ 3,106 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 155,31
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,106 | € 155,31 |
| 100 - 200 | € 3,067 | € 153,35 |
| 250+ | € 3,03 | € 151,50 |
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Type N
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55A
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650V
Type de Boitier
TO-220
Série
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Température de fonctionnement minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
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