MOSFET N STMicroelectronics 55 A 650 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 STP AEC-Q101
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
55A
Tension Drain Source maximum Vds
650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STP
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Taille
4.6mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
UL
Standard automobile
AEC-Q101
Idée. Créer. Collaborer
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 174,94
€ 3,499 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
€ 174,94
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50
| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 3,499 | € 174,94 |
| 100 - 200 | € 3,324 | € 166,19 |
| 250+ | € 3,091 | € 154,57 |
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Type N
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55A
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650V
Type de Boitier
TO-220
Séries
STP
Type de support
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
45mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
140W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
80nC
Tension directe Vf
1.5V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Taille
4.6mm
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