MOSFET STMicroelectronics canal Type N, TO-220 6 A Enrichissement 800 V, 3 broches STP80N900K6
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
6A
Tension Drain Source maximum Vds
800V
Type de Boitier
TO-220
Série
STP
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
900mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
68W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.5V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
10.4 mm
Hauteur
4.6mm
Longueur
28.9mm
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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€ 46,63
€ 0,933 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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Mode de canal
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Largeur
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