MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 80 A 60 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température maximum d'utilisation
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
115 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Standard
2
Prix sur demande
Each (In a Pack of 2) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
2
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Séries
STripFET
Type de boîtier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
8 mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Température maximum d'utilisation
+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs
115 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Taille
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-65 °C
PRICED TO CLEAR
Yes
Détails du produit
Canal N STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.