MOSFET STMicroelectronics canal N, A-220 80 A 55 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
80 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
STripFET II
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N STripFET™ II, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 101,40
€ 2,028 Each (In a Tube of 50) (hors TVA)
50
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| Quantité | Prix unitaire | Par Tube |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,028 | € 101,40 |
| 100 - 150 | € 1,783 | € 89,14 |
| 200 - 450 | € 1,734 | € 86,70 |
| 500 - 950 | € 1,689 | € 84,47 |
| 1000+ | € 1,649 | € 82,44 |
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N
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80 A
Tension Drain Source maximum
55 V
Série
STripFET II
Type de conditionnement
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
7 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4V
Tension de seuil minimale de la grille
2V
Dissipation de puissance maximum
300 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Longueur
10.4mm
Charge de Grille type @ Vgs
142 nC @ 10 V
Température d'utilisation maximum
+175 °C
Hauteur
9.15mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
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