MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 7 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Type de boîtier
TO-220
Type de fixation
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement maximum
150 °C
Longueur
10.4mm
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Hauteur
15.75mm
Séries
MDmesh M5
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Through Hole
Nombre de broches
3
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Mode de canal
Enhancement
Tension de seuil maximale de la grille
5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC V @ 10
Nombre d'éléments par circuit
1
Température de fonctionnement maximum
150 °C
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Si
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