MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 7 A 650 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7 A
Tension Drain Source maximum
650 V
Gehäusegröße
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
600 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
70 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
-25 V, +25 V
Charge de Grille type @ Vgs
15 nC @ 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Longueur
10.4mm
Šířka
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Höhe
15.75mm
Série
MDmesh M5
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Prix sur demande
Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
5
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N
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Through Hole
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3
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Mode de canal
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Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
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Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
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Charge de Grille type @ Vgs
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Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
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10.4mm
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