MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220FP 7,2 A 500 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
7.2 A
Tension Drain Source maximum
500 V
Type d'emballage
A-220
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
-55 °C
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 7,22
€ 1,445 Each (In a Pack of 5) (hors TVA)
Standard
5
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Standard
5
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| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,445 | € 7,22 |
| 10 - 95 | € 1,216 | € 6,08 |
| 100 - 495 | € 0,955 | € 4,77 |
| 500 - 995 | € 0,805 | € 4,02 |
| 1000+ | € 0,673 | € 3,36 |
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N
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7.2 A
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Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
850 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
4.5V
Tension de seuil minimale de la grille
3V
Dissipation de puissance maximum
30 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±30 V
Longueur
10.4mm
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Charge de Grille type @ Vgs
32 nC @ 10 V
Largeur
4.6mm
Matériau du transistor
Si
Taille
9.3mm
Température de fonctionnement minimum
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