Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.3Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1,62
€ 1,62 Each (hors TVA)
Standard
1
€ 1,62
€ 1,62 Each (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
Standard
1
| Quantité | Prix unitaire |
|---|---|
| 1 - 1 | € 1,62 |
| 2+ | € 1,54 |
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
8A
Tension Drain Source maximum Vds
900V
Type de Boitier
TO-220
Type de montage
Through Hole
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
1.3Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
72nC
Dissipation de puissance maximum Pd
160W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Tension directe Vf
1.2V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
4.6 mm
Longueur
10.4mm
Hauteur
15.75mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Détails du produit


