MOSFET STMicroelectronics canal N, TO-220 8 A 900 V, 3 broches

N° de stock RS: 761-0213Marque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STP9NK90Z
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum

8 A

Tension Drain Source maximum

900 V

Type de boîtier

TO-220

Séries

MDmesh, SuperMESH

Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.3 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

Dissipation de puissance maximum

160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

72 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Taille

15.75mm

Température de fonctionnement minimum

-55 °C

Détails du produit

Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 700 V à 1 200 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 3,68 Each (hors TVA)

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QuantitéPrix unitaire
1 - 9€ 3,68
10 - 24€ 3,34
25 - 99€ 3,15
100 - 499€ 2,51
500+€ 2,25

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Type de montage

Through Hole

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

1.3 Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

4.5V

Tension de seuil minimale de la grille

3V

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160 W

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±30 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Charge de Grille type @ Vgs

72 nC @ 10 V

Largeur

4.6mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

10.4mm

Taille

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Température de fonctionnement minimum

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