MOSFET N STMicroelectronics 400 mA 600 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 MDmesh, SuperMESH
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
400mA
Tension Drain Source maximum Vds
600V
Type de Boitier
TO-92
Série
MDmesh, SuperMESH
Type de montage
Through Hole
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum Rds
8.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
7nC
Dissipation de puissance maximum Pd
3W
Température d'utilisation minimum
-55°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
4.95mm
Hauteur
4.95mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
Malaysia
Détails du produit
Canal N MDmesh™ SuperMESH™, 250 V à 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 415,08
€ 0,208 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
2000
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Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
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3W
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1.6V
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Longueur
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Hauteur
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