Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET V
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension directe Vf
1.1V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 020,91
€ 0,34 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
€ 1 020,91
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3000
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Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
2.3A
Tension Drain Source maximum Vds
20V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET V
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
40mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension maximale de source de la grille Vgs
8 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension directe Vf
1.1V
Température de fonctionnement maximum
150°C
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Canal N STripFET™ V, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.


