MOSFET STMicroelectronics canal Type P, SOT-23 2 A Enrichissement 30 V, 3 broches STR2P3LLH6
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Type P
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
2A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
-1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Température de fonctionnement maximale
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
3.04mm
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 72,76
Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
250
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SOT-23
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STripFET
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Surface
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3
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
-1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Température de fonctionnement maximale
150°C
Normes/homologations
No
Longueur
3.04mm
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
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No
Pays d'origine
China
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