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MOSFET STMicroelectronics canal P, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches

N° de stock RS: 876-5702PMarque: STMicroelectronicsN° de pièce Mfr: STR2P3LLH6
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Documents techniques

Spécifications

Type de canal

P

Courant continu de Drain maximum

2 A

Tension Drain Source maximum

30 V (canal N), 30 V (canal P)

Série

STripFET

Type de conditionnement

TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.75mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

6 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.3mm

Tension directe de la diode

1.1V

Pays d'origine

China

Détails du produit

Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics

Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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€ 92,35

€ 0,369 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)

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QuantitéPrix unitairePar Bobine
250 - 450€ 0,369€ 18,47
500 - 1200€ 0,332€ 16,62
1250+€ 0,33€ 16,52

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P

Courant continu de Drain maximum

2 A

Tension Drain Source maximum

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Série

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Type de conditionnement

TO-236

Type de fixation

CMS

Nombre de broche

3

Résistance Drain Source maximum

90 mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension de seuil maximale de la grille

2.5V

Tension de seuil minimale de la grille

1V

Dissipation de puissance maximum

350 mW

Configuration du transistor

Single

Tension Grille Source maximum

±20 V

Largeur

1.75mm

Matériau du transistor

Si

Nombre d'éléments par circuit

1

Longueur

3.04mm

Charge de Grille type @ Vgs

6 nC @ 4,5 V

Température d'utilisation maximum

150 °C

Hauteur

1.3mm

Tension directe de la diode

1.1V

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