MOSFET STMicroelectronics canal P, SOT-23 2 A 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
P
Courant continu de Drain maximum
2 A
Tension Drain Source maximum
30 V (canal N), 30 V (canal P)
Série
STripFET
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
1.3mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 15,24
€ 0,305 Each (In a Pack of 50) (hors TVA)
Standard
50
€ 15,24
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Standard
50
| Quantité | Prix unitaire | Par Paquet |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 0,305 | € 15,24 |
| 100+ | € 0,29 | € 14,50 |
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P
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2 A
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Série
STripFET
Type de boîtier
SOT-23, TO-236
Type de montage
CMS
Nombre de broche
3
Résistance Drain Source maximum
90 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
350 mW
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Longueur
3.04mm
Charge de Grille type @ Vgs
6 nC @ 4,5 V
Température d'utilisation maximum
150 °C
Largeur
1.75mm
Matériau du transistor
Si
Nombre d'éléments par circuit
1
Hauteur
1.3mm
Tension directe de la diode
1.1V
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
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