MOSFET STMicroelectronics canal Type P, SOT-23 2 A Enrichissement 30 V, 3 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
2A
Tension Drain Source maximum Vds
30V
Type de Boitier
SOT-23
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
3
Résistance Drain Source maximum Rds
90mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension directe Vf
-1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
350mW
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
Température de fonctionnement maximale
150°C
Longueur
3.04mm
Normes/homologations
No
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 488,11
€ 0,163 Each (On a Reel of 3000) (hors TVA)
3000
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Enrichissement
Tension directe Vf
-1.1V
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
6nC
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Longueur
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No
Largeur
1.75 mm
Hauteur
1.3mm
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No
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China
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