MOSFET canal Type P STMicroelectronics 10 A 40 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 996,59
€ 0,799 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
€ 1 996,59
€ 0,799 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
2500
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Type P
Courant continu de Drain maximum Id
10A
Tension Drain Source maximum Vds
40V
Type de Boitier
SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
20mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2.7W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température minimum de fonctionnement
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
34nC
Tension directe Vf
-1.1V
Température d'utilisation maximum
150°C
Largeur
4 mm
Hauteur
1.5mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
Transistor MOSFET de puissance STripFET™ à canal P, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idée. Créer. Collaborer
S'INSCRIRE GRATUITEMENT
Pas de frais cachés !
- Téléchargez et utilisez notre logiciel DesignSpark pour vos PCB et vos conceptions mécaniques en 3D.
- Consultez et contribuez au contenu du site Web et des forums
- Téléchargez des modèles 3D, des schémas et des empreintes de plus d'un million de produits.