MOSFET canal Double N STMicroelectronics 0.4 A 450 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SuperMESH Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
Double N
Type de produit
MOSFET
Courant continu de Drain maximum Id
0.4A
Tension Drain Source maximum Vds
450V
Type de Boitier
SO-8
Séries
SuperMESH
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
4.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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€ 1 725,38
€ 0,69 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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SO-8
Séries
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Surface
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Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
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Dissipation de puissance maximum Pd
2W
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