MOSFET canal Double N STMicroelectronics 0.4 A 450 V Enrichissement, 8 broches, SO-8 SuperMESH Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
MOSFET
Type de canal
Double N
Courant continu de Drain maximum Id
0.4A
Tension Drain Source maximum Vds
450V
Type de Boitier
SO-8
Séries
SuperMESH
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
4.5Ω
Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Tension maximale de source de la grille Vgs
30 V
Température minimum de fonctionnement
-65°C
Tension directe Vf
1.6V
Température d'utilisation maximum
150°C
Normes/homologations
RoHS
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 14,77
€ 1,477 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
Standard
10
€ 14,77
€ 1,477 Each (Supplied as a Tape) (hors TVA)
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Standard
10
| Quantité | Prix unitaire | Par Bande |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,477 | € 14,77 |
| 100 - 240 | € 1,403 | € 14,03 |
| 250 - 490 | € 1,303 | € 13,03 |
| 500 - 990 | € 1,197 | € 11,97 |
| 1000+ | € 1,152 | € 11,52 |
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SO-8
Séries
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Surface
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8
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Charge de porte typique Qg @ Vgs
10nC
Dissipation de puissance maximum Pd
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Tension maximale de source de la grille Vgs
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Température minimum de fonctionnement
-65°C
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