MOSFET de puissance 2 canal Type N Isolé STMicroelectronics 4 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC STripFET Non
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Power MOSFET
Typ kanálu
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Série
STripFET
Typ montáže
Surface
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enhancement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Température minimum de fonctionnement
150°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Maximální provozní teplota
-55°C
Configuration du transistor
Isolated
Höhe
1.25mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Détails du produit
Transistor MOSFET double STripFET™ canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 8,78
€ 1,756 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 8,78
€ 1,756 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 1,756 | € 8,78 |
| 10 - 20 | € 1,562 | € 7,81 |
| 25 - 95 | € 1,481 | € 7,40 |
| 100 - 495 | € 1,16 | € 5,80 |
| 500+ | € 0,977 | € 4,89 |
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Série
STripFET
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Surface
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8
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Mode de canal
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2W
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150°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
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Configuration du transistor
Isolated
Höhe
1.25mm
Longueur
5mm
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No
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2
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No
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