2 MOSFET de puissance STMicroelectronics Isolé canal Type N, SOIC 4 A 60 V Enrichissement, 8 broches STS4DNF60L
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de produit
Power MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
4A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Type de Boitier
SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Tension maximale de source de la grille Vgs
15 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température minimum de fonctionnement
150°C
Température maximale d'utilisation
-55°C
Configuration du transistor
Isolated
Largeur
4 mm
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Hauteur
1.25mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Distrelec Product Id
304-42-969
Standard automobile
No
Détails du produit
Transistor MOSFET double STripFET™ canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 10,89
€ 2,177 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
Paquet de production (Bobine)
5
€ 10,89
€ 2,177 Each (Supplied on a Reel) (hors TVA)
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Paquet de production (Bobine)
5
| Quantité | Prix unitaire | Par Bobine |
|---|---|---|
| 5 - 5 | € 2,177 | € 10,88 |
| 10 - 20 | € 1,939 | € 9,69 |
| 25 - 95 | € 1,836 | € 9,18 |
| 100 - 495 | € 1,439 | € 7,20 |
| 500+ | € 1,212 | € 6,06 |
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Type N
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SOIC
Séries
STripFET
Type de montage
Surface
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8
Résistance Drain Source maximum Rds
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Mode de canal
Enrichissement
Dissipation de puissance maximum Pd
2W
Tension maximale de source de la grille Vgs
15 V
Charge de porte typique Qg @ Vgs
15nC
Température minimum de fonctionnement
150°C
Température maximale d'utilisation
-55°C
Configuration du transistor
Isolated
Largeur
4 mm
Longueur
5mm
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No
Hauteur
1.25mm
Nombre d'éléments par circuit
2
Distrelec Product Id
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No
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