MOSFET N STMicroelectronics 5 A 60 V Enrichissement, 8 broches, SOIC DeepGate, STripFET
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType du produit
MOSFET
Type de canal
Type N
Courant continu de Drain maximum Id
5A
Tension Drain Source maximum Vds
60V
Séries
DeepGate, STripFET
Type de Boitier
SOIC
Type de support
Surface
Nombre de broches
8
Résistance Drain Source maximum Rds
55mΩ
Mode de canal
Enhancement
Tension directe Vf
1.2V
Dissipation de puissance maximum Pd
2.5W
Tension maximale de source de la grille Vgs
20 V
Température d'utilisation minimum
-55°C
Charge de porte typique Qg @ Vgs
17nC
Température d'utilisation maximum
150°C
Longueur
5mm
Normes/homologations
No
Largeur
4 mm
Taille
1.65mm
Standard automobile
No
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
€ 1 450,13
€ 0,58 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Longueur
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Taille
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No
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