MOSFET STMicroelectronics canal N, SOIC 5 A 60 V, 8 broches
Documents techniques
Spécifications
Brand
STMicroelectronicsType de canal
N
Courant continu de Drain maximum
5 A
Tension Drain Source maximum
-60 V
Type de boîtier
SOIC W
Série
DeepGate, STripFET
Type de fixation
CMS
Nombre de broche
8
Résistance Drain Source maximum
55 mΩ
Mode de canal
Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille
2.5V
Tension de seuil minimale de la grille
1V
Dissipation de puissance maximum
2.5 W
Configuration du transistor
Single
Tension Grille Source maximum
±20 V
Charge de Grille type @ Vgs
17 nC @ 5 V
Matériau du transistor
Si
Température d'utilisation maximum
150 °C
Nombre d'éléments par circuit
1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Taille
1.65mm
Pays d'origine
China
Détails du produit
STripFET™ DeepGate™ Canal N, STMicroelectronics
Les transistors MOSFET STripFET™, avec une large gamme de tension d'isolement, offrent une charge de grille et une résistance très faibles.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 1 431,99
€ 0,573 Each (On a Reel of 2500) (hors TVA)
2500
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Les informations sur le stock sont temporairement indisponibles.
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Single
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Charge de Grille type @ Vgs
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Matériau du transistor
Si
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1
Largeur
4mm
Longueur
5mm
Taille
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